在二氧化硅層中存在著與制各I藝有關的正電荷。在sΘ2內和s/si()2界面上有4種類型的電荷(氧化層內電荷的種類和分布如圖艸32所示):可動離子電荷Qu;S9S08DZ32F2MLC氧化層固定電荷Qf;界面陷阱電荷Qi∶;氧化層陷阱電荷Q"e這些正電荷將引起⒊/siC)2界面阝硅的反型層,以及MC)S器件閾值電壓不穩(wěn)定等現(xiàn)象, 應盡量避免。

   可動離子電荷(Mobile bnic(rhgc)氫

   f移動離子電荷主要是Na、H・等帶正電的堿金屬離子,這些離子在二氧化硅中都是網(wǎng)絡改變雜質,為快擴散雜質.電荷密度在10Ⅱ~10″cm2。其中主要是N曠,囚為在人體與環(huán)境中大量存在Na÷,熱氧化時容易發(fā)生Na・沾污。

   Nf沾污往往是在SK)'層中正電荷的一個主要來源。這種正電荷將影響到⒏02層下的硅的表面勢,從而,s02層中Na・的運動及其數(shù)量的變化都將影響到器件的性能。進人氧化層中的Na|數(shù)量依賴于氧化過程中的清潔度�，F(xiàn)在工藝水平已經(jīng)能較好地控制Na→的沾污保障MOS晶體管閾值電廳V!的穩(wěn)定。