存在于⒏O2中的Na,即使在低于~900℃的溫度下在氧化層中也具有很高的擴散系數(shù)。同時由S9S08DZ60F2MLF于Na以離子的形態(tài)存在,其遷移(TranspoⅡ)能力因氧化層中存在電場而顯著提高。為了降低Na-的沾污,可以在工藝過程中采取一些預(yù)防措施,主要包括:①使用含氯的氧化工藝;②用氯周期性地清洗管道、爐管和相關(guān)的容器;③使用超純凈的化學(xué)物質(zhì);④保證氣體在傳輸過程中的清潔。另外,保證柵材料(通常是多晶硅)不受沾污也是很重要的。使用PSG和BPSG玻璃鈍化可動離子,可以降低可動離子的影響。因為這些玻璃體能捕獲可動離子。用等離子淀積氮化硅來封閉已經(jīng)完成的芯片,氮化硅起阻擋層的作用,可以防止Na+、水汽等有害物的滲透。

   氧化層固定電荷

   Ql通常帶正電,但是在某些情況下也可能帶負(fù)電,它的極性不隨表面勢和時間的變化而變化,所以叫它固定電荷。這種電荷是指位于距離s/s0界面3m的氧化層范圍內(nèi)的正電荷,又稱界面電荷,它是由氧化層中的缺陷引起的,電荷密度為1儼~10⒓(血2。在超薄氧化層(小于3,01血)中,電荷離界面更近,或者是分布于整個氧化層之中。

   氧化層固定電荷的來源普遍認(rèn)為是氧化層中過剩的硅離子,或者說是氧化層中的氧空位。由于氧離子帶負(fù)電,氧空位具有正電中心的作用,所以氧化層中的固定電荷帶正電。固定氧化層電荷的能級在硅的禁帶以外,但在⒊02禁帶中。硅襯底晶向、氧化條件和退火溫度的適當(dāng)選擇,可以使固定正電荷控制在較低的密度。同時降低氧化時氧的分壓,也可減小過剩~slˉ的數(shù)量,有助于減小固定正荷密度。另外,含氯氧化工藝也能降低固定正電荷的密度。