對(duì)晶體靶進(jìn)行離子注人時(shí),當(dāng)離子注入的方向與靶晶體的某個(gè)晶向平行時(shí),其運(yùn)動(dòng)PG985C3R軌跡將不再是無規(guī)則的,而是將沿溝道運(yùn)動(dòng)并且很少受到原子核的碰撞,因此來自靶原子的阻止作用要小得多,而且溝道中的電子密度很低,受到的電子阻止也很小,這些離子的能量損失率就很低。在其他條件相同的情況下,很難控制注人離子的濃度分布,注入深度大于在無定形靶中的深度并使注人離子的分布產(chǎn)生一個(gè)很長(zhǎng)的拖尾,注人縱向分布峰值與高斯分布不同,這種現(xiàn)象稱為離子注入的溝道效應(yīng)(Channeˉhllg Effect),如圖614所示。

   如果具有一定能量的入射離子,進(jìn)入晶體里某一主軸的臨界角ocˉ內(nèi),那么,離子在每一時(shí)刻都要接近晶格原子,而受到晶格原子核庫侖屏蔽場(chǎng)的排斥作用,使它偏離原來的方向而避免與原子核的劇烈碰撞。圖614表明溝道注人的各種情況:在圖(a)中,離子A以大于⒘∴的方向入射,它將與晶格原子有嚴(yán)重的碰撞,因而與非晶靶入射的情況相同,除非它碰巧準(zhǔn)直于另一個(gè)晶軸方向;離子B以稍小于吼的情況人射,它在溝道中將受到較大的核碰撞而損失較多的能量,因而在溝道中“振蕩”,離子B將比離子A滲透得更深,但小于離子C的溝道注人深度;離子C以遠(yuǎn)小于監(jiān):的方向人射,它在溝道中很少受到原子核的碰撞,而具有很大的滲透本領(lǐng)。