sOI(Slhcon on Illsulator)技術(shù)被稱為“21世紀(jì)的硅集成電路技術(shù)”,在高速、低功耗RFSA2013集成電路,高壓功率器件以及抗輻射微電子等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體工業(yè)向0.13um及更小工藝尺寸的器件轉(zhuǎn)移,芯片的襯底材料對設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)、互連和其他關(guān)鍵設(shè)計(jì)要素有很大影響,特別是當(dāng)在器件制造中使用銅和低虍值等高級電路材料時(shí),影響會更大。

   與體硅CMOS技術(shù)相比,⒌)I技術(shù)能將器件性能或速度提高15%~35%。SOI已經(jīng)成為用于先進(jìn)CMOS SOC(Systcm oll Chip)的最常用的襯底。這些器件通常用于手持系統(tǒng)中的主流微處理器、其他要求低功耗的新型無線電子設(shè)備中。離子注入技術(shù)在Sα技術(shù)中有兩個(gè)重要應(yīng)用:注氧隔離6m⑩X)技術(shù)和智能剝離(Sn.artCut)技術(shù)。