同樣可以用TEOS源淀積PEC`⊙sio薄膜,記為PETEOS。這種⒊O2薄膜中會存在殘余碳污染,K4B2G0846B-HCF7如果在氣體人口02/TEOS流量比足夠大的情況下,殘余碳污染很小;而薄膜的折射率和介電常數適當。PETEC)s襯底溫度同樣低于400℃,所淀積薄膜的應力可以在較寬范圍內得到控制。PSG和BPSG中的摻雜劑通常使用有機化合物,如四丁基磷烷和硼酸三甲酯,以減少氫化物的使用。PETEO⒏SiO`薄膜不能直接用來填充窄間隔的金屬線,因為薄膜中會產生空洞。通常采用的是PETEOS和AP'ΓEOS或者HI)RCVD相結合的方法制備有良好的間隙覆蓋能力的⒏o2薄膜。PETEOS方法淀積⒊O2的速率相對較高,這對于提高生產效率有利。

   氮化硅薄膜淀積

   在微電子I藝中常用的介質薄膜還有氮化硅薄膜,特別是在一些不適合使用工氧化硅薄膜的場合,氮化硅薄膜被廣泛使用。氮化硅薄膜通常是采用CVD工藝制備。