以PECVD方法制備氧化層,是利用K4B1G1646G-BCMA等離子體對化學(xué)反應(yīng)的增強作用來促進薄膜在低溫的淀積,因此,PECVD(九是低溫工藝。使用的反應(yīng)劑以硅源來劃分有sH1系列和TEfB系列。在反應(yīng)劑中可以摻人含B或者P的氣體形成PSG或者BPSG。與APCVID si相比,PEC、0siO2薄膜應(yīng)力、更不容易開裂;保形性好,更均勻,針孔也更少。但是,離子對襯底的轟擊作用也限制了它在一些對等離子體敏感襯底上的應(yīng)用。

    02、N2O和⒊H4在等離子體狀態(tài)下低溫反應(yīng)淀積s02。

   當(dāng)硅烷進人反應(yīng)室將會發(fā)生分解反應(yīng):

   通常情況下不用sH4/O?的混合等離子體進行反應(yīng)制備SlO2,這是因為氧等離子體反應(yīng)活性很強,在氣相氧等離子體就和⒏H?發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生⒊α的顆粒污染,使薄膜的質(zhì)量變差。例如,顆粒落在薄膜上產(chǎn)生針孔。

   sH4/N20的混合氣體能生成更均勻的膜,  盡管在淀積的薄膜中含有少量的H和N,而薄膜成分分析值接近⒊O2化學(xué)計量比很少在MOS晶體管及電路中使用,這是因為O―H基團對MOS結(jié)構(gòu)電學(xué)特性有不良影響。