對(duì)CVD一AL的研究從20世紀(jì)80年代初就開(kāi)始了,但仍處于實(shí)驗(yàn)室研究階段。日前,CⅥ》Al也有覆蓋淀積和選擇淀積兩種制各方法。

   早期的CVD-Al主要是覆蓋淀積,這種A1膜有極好的保形覆蓋特性、電阻率低, ADG508AKRZ-REEL7與襯底硅和氧化層的附著性良好。但是,這種覆蓋式A1膜的表面較為粗糙,會(huì)給光刻工藝帶來(lái)問(wèn)題。常用的鋁源主要為T(mén)MA[分子式為A1(CH3)6彐,在低于300℃時(shí)就能熱分解淀積。之后不久,開(kāi)發(fā)出了選擇淀積A1膜,鋁源采用的是金屬有機(jī)化合物TIBA(分子式為EAl(C4H9)3])。TIBA在250°C熱分解,只在襯底表面是硅或金屬的地方成核、 生長(zhǎng)、形成A1膜,可以很好地填充0,4um大小的接觸,但是,TIBA蒸氣壓較低,淀積速率較慢。

    wF6在選擇淀積中會(huì)與硅發(fā)生反應(yīng)淀積W,而TIBA則不會(huì),因此可保證硅表面免受損傷。而且,如果薄膜是在比較好的成核層上進(jìn)行淀積,表面粗糙的問(wèn)題也會(huì)明顯地得到改善。

   目前,還有兩種鋁有機(jī)化合物源也被看好,分別是DMAHE分子式為A1H(CH3)2彐和DMEAA分子式為(CH3)2C・H5N(川H3)彐,二者都可以在低于200℃時(shí)淀積鋁膜。盡管使用有機(jī)化合物金屬源具有淀積溫度低等優(yōu)點(diǎn),但是,都存在安全問(wèn)題。所有鋁有機(jī)化合物源都是有毒物質(zhì),且易燃,接觸到水會(huì)發(fā)生爆炸。因此,在使用和儲(chǔ)存過(guò)程中必須低溫密封,操作方法合理。而且,它們是極易反應(yīng)的化合物,當(dāng)室溫放置等待注入反應(yīng)器時(shí),必須采取措施保證其穩(wěn)定。

   本章小結(jié)

   本章在對(duì)CVD過(guò)程進(jìn)行分析的基礎(chǔ)上介紹了CVD工藝的原理及淀積薄膜質(zhì)量的控制方法。詳細(xì)介紹了常用的3種CVD工藝方法:APCVD、LPC、①和PECVD,簡(jiǎn)述了CˇD工藝的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)常采用CVD工藝制備的二氧化硅、氮化硅、多晶硅、金屬及化合物薄膜的性質(zhì)、用途和CVD制備方法做了介紹。