前烘的溫度和時間需要嚴格地控制,一般須在80~110℃的紅外燈下或烘箱內(nèi)烘烤5~10min。如果前烘的溫度太低,除了光刻膠層與硅片表面的黏附性變差之外, HAT2093R-EL-E曝光的精確度也會因為光刻膠中溶劑的含量過高而變差。同時,太高的溶劑濃度將使得顯影液對曝光區(qū)和非曝光區(qū)光刻膠的選擇性下降,導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移效果不好c如果過分延長前烘時間,又會影響到產(chǎn)量。另外,前烘溫度太高,光刻膠層的黏附性也會因為光刻膠變脆而降低。而且,過高的烘焙溫度會使光刻膠中的感光劑發(fā)生反應(yīng),這就會使光刻膠在曝光時的敏感度變差。由于熱能也能使光刻膠內(nèi)樹脂發(fā)生交聯(lián)而不溶解,因此前烘不能過分,但也不能烘烤不足,不然會在顯影時發(fā)生脫膠和圖形畸變等現(xiàn)象。

    前烘通常采用干燥循環(huán)熱風(fēng)、紅外線輻射以及熱平板傳導(dǎo)等熱處理方式。在UIsI工藝中,常用的前烘方法是真空熱平板烘烤。真空熱平板烘烤可以方便地控制溫度,同時還可以保證均勻加熱。在熱平板烘烤中,熱量由硅片的背面?zhèn)魅?因此光刻膠內(nèi)部的溶劑將向表面移動而離開光刻膠。如果處于光刻膠表面的溶劑的揮發(fā)速度比光刻膠內(nèi)部溶劑的揮發(fā)速度快,當表面的光刻膠已經(jīng)固化時,再繼續(xù)進行烘焙,光刻膠表面將會變得粗糙,使用平板烘烤就可以解決這個問題。