干法刻蝕又分為3種:物理性刻蝕、化學(xué)性刻蝕、物理化學(xué)性刻蝕。OP184ES-REEL物理性刻蝕是利用輝光放電將氣體(如Ar氣)電離成帶正電的離子,再利用偏壓將離子加速,濺擊在被刻蝕物的表面而將被刻蝕物的原子擊出―――濺射,該過程完全是物理上的能量轉(zhuǎn)移,故稱物理性刻蝕。物理性刻蝕包括濺射刻蝕和離子束銑蝕。濺射刻蝕是利用等離子體中的離子或高能原子對(duì)襯底進(jìn)行轟擊,濺射出襯底原子,形成掩蔽膜圖形。離子束銑蝕是利用高能離子束對(duì)襯底進(jìn)行轟擊,撞擊出襯底原子,形成掩蔽膜圖形。物理性刻蝕的特色在于具有非常好的方向性,可獲得接近垂直的刻蝕輪廓。但是由于離子是全面均勻地濺射在芯片上,光刻膠和被刻蝕材料同時(shí)被刻蝕,造成刻蝕選擇性低。同時(shí),被擊出的物質(zhì)并非揮發(fā)性物質(zhì),這些物質(zhì)容易二次沉積在被刻蝕薄膜的表面及側(cè)壁。因此,在超大規(guī)模集成電路(ULSI)制作工藝中,很少使用完全物理方式的干法刻蝕方法。化學(xué)性刻蝕,或稱為等離子體刻蝕(Pl灬ma EtclDil△g),是利用等離子體將刻蝕氣體電離并形成帶電離子、分子及反應(yīng)活性很強(qiáng)的原子團(tuán),它們擴(kuò)散到被刻蝕薄膜表面后與被刻蝕薄膜的表面原子反應(yīng)生成具有揮發(fā)性的反應(yīng)產(chǎn)物,并被真空設(shè)備抽離反應(yīng)腔。囚這種反應(yīng)完全利用化學(xué)反應(yīng),故稱為化學(xué)性刻蝕。這種刻蝕方式與前面所講的濕法刻蝕類似,只是反應(yīng)物與產(chǎn)物的狀態(tài)從液態(tài)改為氣態(tài),并以等離子體來加快反應(yīng)速率。因此,化學(xué)性干法刻蝕具有與濕法刻蝕類似的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn),即具有較高的掩膜/底層的選擇比及等向性。鑒于化學(xué)性刻蝕等向性的缺點(diǎn),在半導(dǎo)體工藝中,只在刻蝕不需圖形轉(zhuǎn)移的步驟(如光刻膠的去除)中應(yīng)用純化學(xué)刻蝕。