濕法刻蝕的優(yōu)點在于對特定薄膜材料的刻蝕速率遠遠大于對其他材料的刻蝕速率,從而提高刻蝕的選擇性。OP183G但是,由于濕法刻蝕的化學反應是各向同性的,因而位于光刻膠邊緣下面的薄膜材料就不可避免地遭到刻蝕,這就使得濕法刻蝕無法滿足ULSI工藝對加工精細線條的要求。所以相對于各向同性的濕法刻蝕,各向異性的干法刻蝕就成為了當前集成電路技術中刻蝕工藝的主流。

    與濕法腐蝕比較,干法刻蝕的優(yōu)點有:保真度好,圖形分辨率高;濕法腐蝕難的薄膜如氮化硅等可以進行干法刻蝕。清潔性好,氣態(tài)生成物被抽出;無濕法腐蝕的大量酸堿廢液。缺點有:設備復雜,選擇比不如濕法。

   在干法刻蝕中,縱向的刻蝕速率遠大于橫向的刻蝕速率,位于光刻膠邊緣下面的材料會受到光刻膠很好的保護。但離子對硅片上的光刻膠和無保護的薄膜會同時進行轟擊刻蝕,其刻蝕的選擇性就比濕法刻蝕差。