(1)設(shè)定高溫氧化爐爐溫為1180°C,升溫至1180℃,通人氧氣1Vmin,設(shè)定控溫儀溫度為98℃,加熱升溫。

   (2)通入氧氣約10min后,將清洗TAS3218IPZP好的硅片和陪片從超純水中取出,直接擺放在石英舟上,先在氧化爐爐口干燥,然后將石英舟緩慢送至氧化爐的恒溫區(qū)進(jìn)行氧化。.

   (3)計(jì)時(shí),干氧,10min之后,換成濕氧,50min之后,再換成千氧,完成氧化。

   (4)緩慢地將載有硅片的石英舟從爐內(nèi)移至爐口,取出。

   (5)查看硅片外觀、顏色及顏色的均勻性,用陪片檢測(cè)氧化層厚度。

   思考題

   (1)濕氧氧化,水浴溫度怎樣影響氧化膜厚度?為什么?

   (2)在進(jìn)行熱氧化操作時(shí)應(yīng)怎樣防止Na+沾污?

   (3)摻氯氧化的目的是什么?如果是摻氯氧化應(yīng)注意哪些事項(xiàng)?

   (4)氧化層太薄,針孔密度過大,或嚴(yán)重沾污對(duì)晶體管性能有什么影響?

   (5)硅片推人高溫氧化爐或從爐內(nèi)拉出,為何要緩慢進(jìn)行?