控制板中的GND與PGND是通過(guò)4個(gè)0Ω的電阻和6個(gè)電容相連的,試驗(yàn)中去除這些電容、SN1608045ZCF電阻后再進(jìn)行測(cè)試,情況沒(méi)有改善。又注意到PGND在控制板內(nèi)的面積較大,可能會(huì)通過(guò)近場(chǎng)耦合拾取板內(nèi)的噪聲。把RJ-0~s取下,剪斷兩根地針,再用一根約3cm長(zhǎng)的細(xì)線引出PIN4腳(GND針),但此細(xì)線在機(jī)柜內(nèi)部懸空,1OO MHz處還有繡dBuV/m。把此懸空細(xì)線改為接到機(jī)柜面板金屬殼體上,1O0MHz處的輻射較小,為貿(mào)dBuⅤ/m,說(shuō)明機(jī)框內(nèi)1OO MHz處的輻射很大。將細(xì)線改接到PCB的GND上,100MHz處的輻射立即又增大到57dBuⅤ/m。將細(xì)線改為通過(guò)一個(gè)100Ω/lOO MHz的磁珠接到PCB的地上,100MHz處的輻射降為51dBuⅤ/m。再在磁珠后面加一個(gè)”0pF的電容接到機(jī)柜的金屬面板(即外殼)上,如圖6.6所示再進(jìn)行測(cè)試,100MHz處的輻射降為32dBuⅤ/m。

   圖6.6 GND用磁珠、電容與金屬面板相連

   將如圖66所示(即GND用磁珠與金屬面板相連)的磁珠L(zhǎng)1去掉,100MHz處的輻射又變?yōu)棰譫BuⅤ/m,再接上磁珠L(zhǎng)l,而去掉電容C1,將L1直接接到面板上,100MHz處的輻射下降到34dBuⅤ/m。由此可知,用如圖6.7所示原理的連接方式,即GND用磁珠與金屬面板相連,也可以滿足輻射發(fā)射CLASS B的要求。