混用不同的連接器
發(fā)布時(shí)間:2017/6/25 20:32:39 訪問(wèn)次數(shù):468
混用不同的連接器(如將金屬陰頭連接器接到陽(yáng)頭的塑料連接器等)。SN1507044RVCR在本案例中,串行口所在PCB的大致結(jié)面板側(cè) 構(gòu)如圖6.5所示
斷開(kāi)串行口線與控制板的連接,1OO MHz處的輻射大大降低,證明干擾源來(lái)自控制板而非AC/DC電源模塊的電源線。同時(shí)也懷疑輻射是由于屏蔽串行口線的屏蔽層與金屬結(jié)構(gòu)體之間搭接不良而造成的,因?yàn)槠帘坞娎|屏蔽層在連接器處搭接不良是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中常見(jiàn)的EMC毛病,如果存在搭接不良,該處會(huì)在高頻下產(chǎn)生較高的阻抗,該阻抗猶如“‘R爹tail’有多大影響”中所提到的“Rgt缸l”(原理咒相應(yīng)案例),最終產(chǎn)生輻射。用銅箔膠帶將電纜的屏蔽層與控制板面板良好搭接,情況沒(méi)有改善.
在串行口線上,靠近RJ一笱連接器處將屏蔽層剝開(kāi)一缺口,剪斷電纜里面的RⅩ、TX及GND線,電纜屏蔽層仍通過(guò)RJ-繡連接器接產(chǎn)品面板(金屬),測(cè)得100MHz的輻射減小到30dBuⅤ/m,說(shuō)明屏蔽串行口線的輻射為電纜內(nèi)部的信號(hào)耦合到屏蔽層上引起的。僅接上剛才斷口的GND線,測(cè)得100MHz處的輻射又增大到能dBuⅤ/m,證明控制板PCB上的GND非常不“干凈”,充滿共模噪聲;再斷開(kāi)電纜內(nèi)的GND與控制板PCB GND的連接,而用銅絲將GND線與PCB板內(nèi)部的保護(hù)地PGND(PGND為控制板外圍的一圈)相連(此產(chǎn)品中的GND與PGND是通過(guò)4個(gè)0Ω電阻和6個(gè)電容相連的,所以此動(dòng)作在電路原理上沒(méi)有改變),測(cè)試1fXl MHz處的輻射為61dBuⅤ/m,證明控制板PCB上的PGND噪聲也很大。
混用不同的連接器(如將金屬陰頭連接器接到陽(yáng)頭的塑料連接器等)。SN1507044RVCR在本案例中,串行口所在PCB的大致結(jié)面板側(cè) 構(gòu)如圖6.5所示
斷開(kāi)串行口線與控制板的連接,1OO MHz處的輻射大大降低,證明干擾源來(lái)自控制板而非AC/DC電源模塊的電源線。同時(shí)也懷疑輻射是由于屏蔽串行口線的屏蔽層與金屬結(jié)構(gòu)體之間搭接不良而造成的,因?yàn)槠帘坞娎|屏蔽層在連接器處搭接不良是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中常見(jiàn)的EMC毛病,如果存在搭接不良,該處會(huì)在高頻下產(chǎn)生較高的阻抗,該阻抗猶如“‘R爹tail’有多大影響”中所提到的“Rgt缸l”(原理咒相應(yīng)案例),最終產(chǎn)生輻射。用銅箔膠帶將電纜的屏蔽層與控制板面板良好搭接,情況沒(méi)有改善.
在串行口線上,靠近RJ一笱連接器處將屏蔽層剝開(kāi)一缺口,剪斷電纜里面的RⅩ、TX及GND線,電纜屏蔽層仍通過(guò)RJ-繡連接器接產(chǎn)品面板(金屬),測(cè)得100MHz的輻射減小到30dBuⅤ/m,說(shuō)明屏蔽串行口線的輻射為電纜內(nèi)部的信號(hào)耦合到屏蔽層上引起的。僅接上剛才斷口的GND線,測(cè)得100MHz處的輻射又增大到能dBuⅤ/m,證明控制板PCB上的GND非常不“干凈”,充滿共模噪聲;再斷開(kāi)電纜內(nèi)的GND與控制板PCB GND的連接,而用銅絲將GND線與PCB板內(nèi)部的保護(hù)地PGND(PGND為控制板外圍的一圈)相連(此產(chǎn)品中的GND與PGND是通過(guò)4個(gè)0Ω電阻和6個(gè)電容相連的,所以此動(dòng)作在電路原理上沒(méi)有改變),測(cè)試1fXl MHz處的輻射為61dBuⅤ/m,證明控制板PCB上的PGND噪聲也很大。
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