直到1954年,第一塊硅晶體才由美國(guó)德州儀器公司(Texas h虻ruments)研發(fā)成功。幾乎同A2C00051189A時(shí),利用氣體擴(kuò)散把雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體的技術(shù)也由貝爾實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出來(lái)。有重要意義的突破是,在硅片上熱生長(zhǎng)出了既具有優(yōu)良電絕緣性能又能掩蔽雜質(zhì)擴(kuò)散的二氧化硅層。此后不久,在照相印刷業(yè)中早已廣泛應(yīng)用的光刻技術(shù),以及透鏡制造業(yè)中應(yīng)用的薄膜蒸發(fā)技術(shù)被引進(jìn)到半導(dǎo)體工藝中來(lái)。仙童半導(dǎo)體公司(F“rchdd⒌miconducto0研制的硅平面工藝使制造性能穩(wěn)定的平面晶體管成為可能。以平面工藝制造pn結(jié)的工藝流程如圖cl4所示,其要點(diǎn)如下:

   ①在硅的平坦表面上生長(zhǎng)出一層穩(wěn)定的二氧化硅;

   ②采用光刻技術(shù)在二氧化硅上刻出窗口;

   ③通過(guò)刻出的窗口將摻雜劑摻人硅,摻雜劑沿垂直和水平兩個(gè)方向在硅中擴(kuò)散,在窗口附近形成一定的雜質(zhì)分布;           `

   ④pn結(jié)在表面處被二氧化硅覆蓋,這層二氧化硅不再被去掉,可使器件性能更加穩(wěn)定。硅平面工藝的發(fā)明使集成電路的制造成為可能。1958年美國(guó)的德州儀器公司和仙童半導(dǎo)體公司各自研制出了雙極型集成電路。1962年MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)集成電路也相繼誕生。