1960年外延技術出現(xiàn),誕生了外延晶體管。20世紀7o年代初,美國研制出第一臺離子注人機, A2C00053336使在硅片的定域摻雜更精確、更均勻,可以在更薄的表面層內(nèi)實現(xiàn)精確摻雜,由此集成電路也向更大規(guī)模方向發(fā)展。隨后等離子干法刻蝕、化學氣相淀積等新工藝、新技術也不斷出現(xiàn)。

   從集成電路誕生到20世紀80年代,是以工藝技術的發(fā)展為主導來促進微電子產(chǎn)品、特別是集成電路的高速發(fā)展時期。

   進人~90世紀⒛年代中后期,集成電路設計從微電子生產(chǎn)制造業(yè)中獨立出來,微電子工藝也進一步完善和規(guī)范,形成了集成電路標準制造I藝。全球第一家集成電路標準加工廠(Foundry)是1987年成立的中國臺灣積體電路公司,它的創(chuàng)始人張忠謀也被譽為“晶體芯片加工之父”。

   ⒛世紀90年代之后,集成電路制造向高度專業(yè)化的轉(zhuǎn)化成為一種趨勢,開始形成電路設計、芯片制造、電路測試和芯片封裝4個相對獨立的行業(yè)�；趯嶋H應用需求而進行的集成電路設計成為引領和推動微電子工藝高速發(fā)展的源動力,它不斷對工藝技術提出更高要求。這時芯片制造的橫向加工精度開始進入亞微米范圍,出現(xiàn)了電子束光刻、X射線光刻、深紫外光刻工藝技術;縱向加工精度也進一步提高,出現(xiàn)了可生長幾個原子厚度外延層的分子束外延工藝、薄層氧化工藝和淺結摻雜技術等。在集成電路金屬互連I藝方面,從1985年起IBM公司(Intematlond Bussilrless Machilae Corpom―tlon)就開始研發(fā)用銅代替鋁作為超大規(guī)模集成電路多層金屬互連系統(tǒng)的工藝技術,直到1998年才在諾發(fā)公司(Novdlus助stem)的協(xié)助下研制出了銅互連工藝,并將其應用在實際的集成電路制造中,1999年蘋果公司(AplDle ColllpLtter,Illc.)也在⑽0MHz微處理器中采用了銅互連I藝。圍繞著銅互連產(chǎn)生了一系列芯片制造工藝的改進技術,如銅層電鍍技術、化學機械拋光技術等。

   現(xiàn)代微電子工藝是以硅平面工藝為基礎而發(fā)展起來的。最能體現(xiàn)微電子工藝發(fā)展水平的單項工藝是光刻I藝,一般用光刻工藝或光刻特征尺寸(光刻圖形能夠分辨的最小線條寬度)來表征微電子工藝水平。