建立一個新工程
發(fā)布時間:2017/7/14 19:52:51 訪問次數(shù):500
在主菜單中,選中“File- New Project Wizard”來建立一個新工程,注意不要把“File—New”誤認(rèn)為是新建工程。出現(xiàn)如圖4.5.2所示新建工程向?qū)дf明窗口,K1548在這個窗口中說明了新建一個工程需要完成以下工作:設(shè)定工程目錄、工程名稱和頂層實體;加入工程文件;設(shè)定目標(biāo)器件;設(shè)定用于該工程的其他EDA工具;工程信息報告。
設(shè)定工程路徑及工程名
在新建工程向?qū)дf明窗口中選擇“Next”按鈕,進(jìn)入如圖4.5.3所示設(shè)定工程目錄、工程名稱和頂層實體對話窗。該窗口的第一欄用于設(shè)定工程所在的路徑(注意不能將硬盤根目錄作為工程的目錄,因為在硬盤的根目錄下不能進(jìn)行綜合編譯);第二欄用于設(shè)定工程名稱(工程名可以取任意名字,建議使用項層文件的實體名作為工程名);第三欄用于設(shè)定頂層文件的實體名。
添加工程文件
完成新建工程的目錄、名稱設(shè)定后,窗口選擇“Nxet”后,進(jìn)入的添加工程文件對話窗,添加已育的設(shè)計文件或者添加非默認(rèn)的庫文件。如要使用先前已設(shè)計好的文件,但不在當(dāng)前的工程路徑中,如果需要添加到當(dāng)前的新建工程中來,則可以在“File name”欄中輸入地址路徑。如果不需要調(diào)入他工程文件,則可以選擇“Nxet”進(jìn)入下一步設(shè)置。
在主菜單中,選中“File- New Project Wizard”來建立一個新工程,注意不要把“File—New”誤認(rèn)為是新建工程。出現(xiàn)如圖4.5.2所示新建工程向?qū)дf明窗口,K1548在這個窗口中說明了新建一個工程需要完成以下工作:設(shè)定工程目錄、工程名稱和頂層實體;加入工程文件;設(shè)定目標(biāo)器件;設(shè)定用于該工程的其他EDA工具;工程信息報告。
設(shè)定工程路徑及工程名
在新建工程向?qū)дf明窗口中選擇“Next”按鈕,進(jìn)入如圖4.5.3所示設(shè)定工程目錄、工程名稱和頂層實體對話窗。該窗口的第一欄用于設(shè)定工程所在的路徑(注意不能將硬盤根目錄作為工程的目錄,因為在硬盤的根目錄下不能進(jìn)行綜合編譯);第二欄用于設(shè)定工程名稱(工程名可以取任意名字,建議使用項層文件的實體名作為工程名);第三欄用于設(shè)定頂層文件的實體名。
添加工程文件
完成新建工程的目錄、名稱設(shè)定后,窗口選擇“Nxet”后,進(jìn)入的添加工程文件對話窗,添加已育的設(shè)計文件或者添加非默認(rèn)的庫文件。如要使用先前已設(shè)計好的文件,但不在當(dāng)前的工程路徑中,如果需要添加到當(dāng)前的新建工程中來,則可以在“File name”欄中輸入地址路徑。如果不需要調(diào)入他工程文件,則可以選擇“Nxet”進(jìn)入下一步設(shè)置。
熱門點擊
- 源阻抗模擬網(wǎng)絡(luò)LIsN內(nèi)部原理
- 氣體放電管的續(xù)流遮斷是沒計電路需要重點考慮的
- 8個LED是共陰極的接法
- 焊盤脫落
- 分布參數(shù)是指電阻器的分布電感和分布電容
- 實際電源中的LC差模濾波電路的插入損耗曲線
- 硼的氧化增強擴散效果隨氧化溫度的升高而減弱
- RS101(25Hz~1OO kHz磁場輻射
- 塑料外殼連接器選型與ESD
- 焊接的溫度和時間要掌握好
推薦技術(shù)資料
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究