矢量勢(shì)方程
發(fā)布時(shí)間:2017/7/22 9:58:31 訪問次數(shù):560
如果電流不在磁性材料內(nèi)流動(dòng),則上述問題可以完全避免。在電流流動(dòng)區(qū)域以外的空間TPC8005中可用全磁標(biāo)量勢(shì)Ψ表示并滿足。
將全磁標(biāo)量勢(shì)與簡(jiǎn)化磁標(biāo)量勢(shì)結(jié)合便可以避免上述問題。簡(jiǎn)化磁標(biāo)量勢(shì)只能用在電流流動(dòng)的區(qū)域,而全磁標(biāo)量勢(shì)則用在其他任何區(qū)域。但是實(shí)際上也有一些限定,即簡(jiǎn)化磁標(biāo)量勢(shì)需形狀簡(jiǎn)單。因此,有時(shí)候需要對(duì)所求空間進(jìn)行面剪切,從而得到單值標(biāo)量勢(shì),一般情況系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)完成剪切過程(automatic cuts)。
矢量勢(shì)方程用于ELEKTRA、CARMEN、DEMAG、QUENCH和SOPRANO等模塊的有限元分析。對(duì)于低頻電磁場(chǎng),采用準(zhǔn)靜態(tài)Maxwell方程,忽略位移電流,有σ為電導(dǎo)率,Ⅱ?yàn)殡姶趴臻g場(chǎng)中物體的速度。速度的影響問題會(huì)在下一節(jié)的運(yùn)動(dòng)方程中進(jìn)一步討論。
根據(jù)式(1,2,13),磁通密度B可以由一個(gè)矢量勢(shì)函數(shù)得到:(1.2.15)
全磁矢量勢(shì)與簡(jiǎn)化磁矢量勢(shì),EI'EKTRA及相關(guān)的CARMEN、DEMAG和QUENCH等模塊使用全磁矢量勢(shì)與簡(jiǎn)化磁矢量勢(shì)分析隨時(shí)間變化的電磁場(chǎng)問題。電流在自由空間的分布產(chǎn)生的磁場(chǎng)(如載有一
定電流的細(xì)導(dǎo)線繞制的線罔產(chǎn)生的磁場(chǎng))可以由Biot Savart(畢奧-薩伐爾)式(1.2,7)積分得到。對(duì)于除了此類源電流導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場(chǎng)以外的磁場(chǎng)可以用簡(jiǎn)化磁矢量勢(shì)AR描述,定義為B=腳Ifs+V×AR (1,2.16)
對(duì)于僅由全磁矢量勢(shì)描述的空間,將式(1.2,11)到式(1,2,15)聯(lián)立。
上述方程中電標(biāo)量勢(shì)y出現(xiàn)是由于式(1.2.12)的積分的非獨(dú)一性。在自由空間中電標(biāo)量矢可以設(shè)為零,且不失一般性。這樣電標(biāo)量勢(shì)和矢量勢(shì)就都被唯一確定。對(duì)于載有源電流的自由空間,使用簡(jiǎn)化矢量勢(shì)。
如果電流不在磁性材料內(nèi)流動(dòng),則上述問題可以完全避免。在電流流動(dòng)區(qū)域以外的空間TPC8005中可用全磁標(biāo)量勢(shì)Ψ表示并滿足。
將全磁標(biāo)量勢(shì)與簡(jiǎn)化磁標(biāo)量勢(shì)結(jié)合便可以避免上述問題。簡(jiǎn)化磁標(biāo)量勢(shì)只能用在電流流動(dòng)的區(qū)域,而全磁標(biāo)量勢(shì)則用在其他任何區(qū)域。但是實(shí)際上也有一些限定,即簡(jiǎn)化磁標(biāo)量勢(shì)需形狀簡(jiǎn)單。因此,有時(shí)候需要對(duì)所求空間進(jìn)行面剪切,從而得到單值標(biāo)量勢(shì),一般情況系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)完成剪切過程(automatic cuts)。
矢量勢(shì)方程用于ELEKTRA、CARMEN、DEMAG、QUENCH和SOPRANO等模塊的有限元分析。對(duì)于低頻電磁場(chǎng),采用準(zhǔn)靜態(tài)Maxwell方程,忽略位移電流,有σ為電導(dǎo)率,Ⅱ?yàn)殡姶趴臻g場(chǎng)中物體的速度。速度的影響問題會(huì)在下一節(jié)的運(yùn)動(dòng)方程中進(jìn)一步討論。
根據(jù)式(1,2,13),磁通密度B可以由一個(gè)矢量勢(shì)函數(shù)得到:(1.2.15)
全磁矢量勢(shì)與簡(jiǎn)化磁矢量勢(shì),EI'EKTRA及相關(guān)的CARMEN、DEMAG和QUENCH等模塊使用全磁矢量勢(shì)與簡(jiǎn)化磁矢量勢(shì)分析隨時(shí)間變化的電磁場(chǎng)問題。電流在自由空間的分布產(chǎn)生的磁場(chǎng)(如載有一
定電流的細(xì)導(dǎo)線繞制的線罔產(chǎn)生的磁場(chǎng))可以由Biot Savart(畢奧-薩伐爾)式(1.2,7)積分得到。對(duì)于除了此類源電流導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場(chǎng)以外的磁場(chǎng)可以用簡(jiǎn)化磁矢量勢(shì)AR描述,定義為B=腳Ifs+V×AR (1,2.16)
對(duì)于僅由全磁矢量勢(shì)描述的空間,將式(1.2,11)到式(1,2,15)聯(lián)立。
上述方程中電標(biāo)量勢(shì)y出現(xiàn)是由于式(1.2.12)的積分的非獨(dú)一性。在自由空間中電標(biāo)量矢可以設(shè)為零,且不失一般性。這樣電標(biāo)量勢(shì)和矢量勢(shì)就都被唯一確定。對(duì)于載有源電流的自由空間,使用簡(jiǎn)化矢量勢(shì)。
上一篇:標(biāo)量勢(shì)方程
上一篇:電流源導(dǎo)體與外電路
熱門點(diǎn)擊
- 帶狀線(strip line)測(cè)試法
- 小分子有機(jī)化合物
- PCB與參考接地板之間的寄生電容
- 調(diào)頻收音機(jī)的高頻頭和調(diào)幅收音機(jī)的變頻級(jí)等都屬
- 按下面所述保持EUT的基本測(cè)試配置
- 修改后的復(fù)位信號(hào)線布置PCB實(shí)圖
- 為什么PCB互連排線對(duì)EMC那么重要
- 極坐標(biāo)配光曲線
- 關(guān)注產(chǎn)品中PCB之間的互連線,
- 如果將中輸出的正弦波看做是沒有經(jīng)過調(diào)制的載波
推薦技術(shù)資料
- Arm Cortex-M33
- 功率MOSFET和電感器降壓模
- BGATE驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFE
- 升降壓充電管理芯片
- 新產(chǎn)品MPQ6539-AEC1
- MOSFET (HS-FET)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究