連接方式(G):傳輸線為同軸電纜,屏蔽層與源端和負(fù)載端連接,負(fù)載端接本地地。M25PE80-VMW6TG這時(shí)不存在地環(huán)路,所以沒有地環(huán)路影響。外界磁場(chǎng)能穿過的環(huán)路面積只有屏蔽層與芯線之間很小的面積,因?yàn)槠帘螌涌梢钥醋魇窃谄渲行妮S上放置的一根等效導(dǎo)線,而這根等效導(dǎo)線是非�？拷揪�的。這時(shí)的相對(duì)屏蔽效能可達(dá)gOdB,與連接方式(C)所示的電路兩端接地時(shí)提高了53dB。

   連接方式(H):傳輸線為雙絞線,連接方式(I)傳輸線為屏蔽雙絞線,都是電路單點(diǎn)接地,屏蔽層也是單點(diǎn)接地c雙絞線本身具有磁屏蔽性能,在沒有地環(huán)路影響下充分發(fā)揮了它的磁屏蔽作用,雙絞線可達(dá)55dB,屏蔽雙絞線可達(dá)⒛dB。這里比較屏蔽效能可知試驗(yàn)裝置中仍有一定的電場(chǎng)耦合,而雙絞線是沒有電場(chǎng)屏蔽性能的,只有屏蔽雙絞線才具各電場(chǎng)屏蔽性能。因此,連接方式(I)比連接方式(H)具有更高的屏蔽效能。

   比較連接方式(I)與連接方式(G),可知同軸電纜磁屏蔽效果比屏蔽雙絞線好,這是因?yàn)橥S電纜對(duì)磁場(chǎng)呈現(xiàn)的環(huán)路面積比雙絞線更小。當(dāng)然,如果進(jìn)一步增加雙絞線的單位長(zhǎng)度的絞合數(shù),則雙絞線的磁屏蔽效能也會(huì)提高。在實(shí)際應(yīng)用中低頻磁屏蔽電路常優(yōu)選連接方式(I)所示的屏蔽雙絞線,而不是連接方式(G)所示的同軸電纜。這是因?yàn)檫B接方式(I)所示的屏蔽層不是信號(hào)電路的一部分,僅是起到電場(chǎng)屏蔽作用,而連接方式(G)中同軸電纜的屏蔽層有信號(hào)回流流過。