飛兆推出全新30V汽車應用MOSFET
發(fā)布時間:2007/8/30 0:00:00 訪問次數(shù):472
飛兆半導體推出四款30V、N溝道PowerTrench MOSFET,在小尺寸封裝中提供高效率和耐用性,能滿足今日最具挑戰(zhàn)性和講究空間應用的汽車應用要求。新型FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和 FDU068AN03L備有D-PAK和I-PAK兩種封裝選項,適用于表面安裝或通孔安裝設計。在最大3.9毫歐(VGS=10V)條件下具有較高的功率密度和較小的封裝尺寸, FDD044AN03L和FDU044AN03L分別采用TO-252(D-PAK)和TO-251(I-PAK)封裝方式,能在30V下提供最低的RDS(on)。
四款MOSFET器件均符合“汽車電子委員會”發(fā)布的分立半導體器件可靠性認可測試步驟AEC-Q101標準。通過符合這項重要的規(guī)格標準,飛兆半導體保證汽車和高可靠性工業(yè)用戶能享用現(xiàn)成的產(chǎn)品解決方案,而無需進行額外的認可測試。這些器件的典型應用包括:用于防鎖定剎車系統(tǒng)(ABS)、雨刮、HVAC風扇、座椅調(diào)整以及車窗開關等的電機控制。
FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和FDU068AN03L具有改善的反向恢復時間(trr)和反向恢復電荷(QRR)特性,以降低開關噪聲,從而減少體二極管的固有損耗,并降低EMI和RFI。除電機控制外,這些產(chǎn)品還可用于各種體負載控制應用。
飛兆半導體分立汽車產(chǎn)品市務總監(jiān)Steve Ahrens稱:“這些新型30V MOSFET性能卓越,可在小至D-PAK的封裝中提供低至3.9毫歐的RDS(on)。除了協(xié)助用戶滿足對汽車電子解決方案日益增長的空間需求外,這些產(chǎn)品還通過提供低導通電阻和優(yōu)良的耐用性,為電機控制應用提供高性能!
飛兆半導體推出四款30V、N溝道PowerTrench MOSFET,在小尺寸封裝中提供高效率和耐用性,能滿足今日最具挑戰(zhàn)性和講究空間應用的汽車應用要求。新型FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和 FDU068AN03L備有D-PAK和I-PAK兩種封裝選項,適用于表面安裝或通孔安裝設計。在最大3.9毫歐(VGS=10V)條件下具有較高的功率密度和較小的封裝尺寸, FDD044AN03L和FDU044AN03L分別采用TO-252(D-PAK)和TO-251(I-PAK)封裝方式,能在30V下提供最低的RDS(on)。
四款MOSFET器件均符合“汽車電子委員會”發(fā)布的分立半導體器件可靠性認可測試步驟AEC-Q101標準。通過符合這項重要的規(guī)格標準,飛兆半導體保證汽車和高可靠性工業(yè)用戶能享用現(xiàn)成的產(chǎn)品解決方案,而無需進行額外的認可測試。這些器件的典型應用包括:用于防鎖定剎車系統(tǒng)(ABS)、雨刮、HVAC風扇、座椅調(diào)整以及車窗開關等的電機控制。
FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和FDU068AN03L具有改善的反向恢復時間(trr)和反向恢復電荷(QRR)特性,以降低開關噪聲,從而減少體二極管的固有損耗,并降低EMI和RFI。除電機控制外,這些產(chǎn)品還可用于各種體負載控制應用。
飛兆半導體分立汽車產(chǎn)品市務總監(jiān)Steve Ahrens稱:“這些新型30V MOSFET性能卓越,可在小至D-PAK的封裝中提供低至3.9毫歐的RDS(on)。除了協(xié)助用戶滿足對汽車電子解決方案日益增長的空間需求外,這些產(chǎn)品還通過提供低導通電阻和優(yōu)良的耐用性,為電機控制應用提供高性能!
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