場效應(yīng)管的類型與檢測

   場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管(FET),又稱單極型晶體管,它屬于電壓控制型半導(dǎo)體元器件。M2516-VMW6TG其特點(diǎn)是輸入電阻很高(106~10ls Ω)、噪聲小、功耗低、無二次擊穿現(xiàn)象,受溫度和輻射影響小,特別適用于要求高靈敏度和低噪聲的電路。場效應(yīng)管和三極管均能實(shí)現(xiàn)信號的控制和放大,但由于它們的構(gòu)造和工作原理截然不同,所以二者的差別很大。在某些特殊應(yīng)用方面,場效應(yīng)管優(yōu)于三極管,是三極管所無法替代的。  

    場效應(yīng)管分為結(jié)型(ⅢET)和絕緣柵型(MOS)。結(jié)型場效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種;絕緣柵型場效應(yīng)管除有N溝道和P溝道之分外,還有增強(qiáng)型與耗盡型之分。場效應(yīng)管的電路圖形符號如圖1.14所示。