JFET的特點(diǎn)
發(fā)布時間:2017/10/11 22:17:46 訪問次數(shù):1098
對于耗盡型的JFET,在平衡時(不加電壓)時,溝道電阻最小;電壓VDs和V。s都可改變柵PN結(jié)從而導(dǎo)致】Is變化,OB3352CPA以實(shí)現(xiàn)對輸入信號的放大。當(dāng)Vl“較低時,JFET的溝道呈現(xiàn)為電阻特性,是所謂電阻T作區(qū),這時漏極電流基本上隨著電壓VDs的增大而線性上升,但漏極電流隨著柵極電壓V(^的增大而平方式增大;進(jìn)一步增大VDs日寸,溝道即首先在漏極一端被夾斷,則漏極電流達(dá)到最大而飽和,進(jìn)入飽和放大區(qū),這時JfET呈現(xiàn)為一個恒流源。
JFET的特點(diǎn):①是電壓控制器件,則不需要大的信號功率。②是多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極晶體管,無少子存儲與擴(kuò)散問題,速度高,噪音系數(shù)低;而且漏極電流JJs的溫度關(guān)系取決于載流子遷移率的溫度關(guān)系,則電流具有負(fù)的溫度系數(shù),器件具有自我保護(hù)的功能。③輸人端是反偏的PN結(jié),則輸入阻抗大,便于匹配。④輸出阻抗也很大,呈現(xiàn)為恒流源,這與BJT大致相同。⑤JFET一般是耗盡型的,但若采用高阻襯底,也可得到增強(qiáng)型JFET(增強(qiáng)型JFET在高速、低功耗電路中很有應(yīng)用價值);但是一般只有短溝道的JFET才是能很好丁作的增強(qiáng)型器件。實(shí)際上,靜電感應(yīng)晶體管也就是一種短溝道的J「ET。⑥溝道是處在半導(dǎo)體內(nèi)部,則溝道中的載流子不受半導(dǎo)體表面的影響,因此遷移率較高、噪聲較低。
對于耗盡型的JFET,在平衡時(不加電壓)時,溝道電阻最小;電壓VDs和V。s都可改變柵PN結(jié)從而導(dǎo)致】Is變化,OB3352CPA以實(shí)現(xiàn)對輸入信號的放大。當(dāng)Vl“較低時,JFET的溝道呈現(xiàn)為電阻特性,是所謂電阻T作區(qū),這時漏極電流基本上隨著電壓VDs的增大而線性上升,但漏極電流隨著柵極電壓V(^的增大而平方式增大;進(jìn)一步增大VDs日寸,溝道即首先在漏極一端被夾斷,則漏極電流達(dá)到最大而飽和,進(jìn)入飽和放大區(qū),這時JfET呈現(xiàn)為一個恒流源。
JFET的特點(diǎn):①是電壓控制器件,則不需要大的信號功率。②是多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極晶體管,無少子存儲與擴(kuò)散問題,速度高,噪音系數(shù)低;而且漏極電流JJs的溫度關(guān)系取決于載流子遷移率的溫度關(guān)系,則電流具有負(fù)的溫度系數(shù),器件具有自我保護(hù)的功能。③輸人端是反偏的PN結(jié),則輸入阻抗大,便于匹配。④輸出阻抗也很大,呈現(xiàn)為恒流源,這與BJT大致相同。⑤JFET一般是耗盡型的,但若采用高阻襯底,也可得到增強(qiáng)型JFET(增強(qiáng)型JFET在高速、低功耗電路中很有應(yīng)用價值);但是一般只有短溝道的JFET才是能很好丁作的增強(qiáng)型器件。實(shí)際上,靜電感應(yīng)晶體管也就是一種短溝道的J「ET。⑥溝道是處在半導(dǎo)體內(nèi)部,則溝道中的載流子不受半導(dǎo)體表面的影響,因此遷移率較高、噪聲較低。
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