1966年,一種金屬一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal Semi∞l△ductor FET,MESFET)被提出并在一年后實(shí)現(xiàn),它在結(jié)構(gòu)上與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)類似,OB3370NCPA不過它與后者的區(qū)別是這種場(chǎng)效應(yīng)管并沒有使用PN結(jié)作為其柵極,而是采用金屬-半導(dǎo)體接觸所構(gòu)成的肖特基勢(shì)壘結(jié)的方式形成柵極,如圖1,12所示,其溝道通常由化合物半導(dǎo)體構(gòu)成,它的速度比由硅制造的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET或M()SFET快很多,但是制造成本相對(duì)更高。但是金屬一半導(dǎo)體接觸可以在較低溫度下形成,可以采用GaAs襯底材料制造出性能優(yōu)良的晶體管。

   圖1,12 N型MESFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖