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溝道摻雜濃度梯度分布圓柱體全包圍柵無結(jié)

發(fā)布時間:2017/10/12 20:55:45 訪問次數(shù):785

   為進(jìn)一步提高器件性能,降低漏電流,⒛12年,IBM的研究人員提出并實(shí)驗(yàn)了一種Ⅸ)I平面結(jié)構(gòu)無結(jié)場效應(yīng)晶體管,其溝道摻雜濃度采用梯度分布,由表及里濃度逐漸降低, PAM2312器件的性能進(jìn)一步得到改善。這是由于降低了遠(yuǎn)離柵極溝道部分的摻雜濃度,使其載流子容易耗盡,可以大大降低器件關(guān)態(tài)漏電流[531。

   受IBM研究人員的啟發(fā),肖德元對其早期提出的圓柱體全包圍柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn),其圓柱體溝道摻雜濃度采用梯度濃度分布,由圓柱體表面至中心濃度逐漸降低,如圖1,16所示。制造工藝并不復(fù)雜,在圓柱體溝道表面沉積一層磷摻雜或者硼摻雜的二氧化硅犧牲層,經(jīng)高溫?zé)o限表面源擴(kuò)散,在圓柱體溝道內(nèi)就可以形成梯度摻雜濃度分布,之后再去除二氧化硅犧牲層。器件模擬結(jié)果表示,器件的性能可以進(jìn)一步得到改善「341。

      



   為進(jìn)一步提高器件性能,降低漏電流,⒛12年,IBM的研究人員提出并實(shí)驗(yàn)了一種Ⅸ)I平面結(jié)構(gòu)無結(jié)場效應(yīng)晶體管,其溝道摻雜濃度采用梯度分布,由表及里濃度逐漸降低, PAM2312器件的性能進(jìn)一步得到改善。這是由于降低了遠(yuǎn)離柵極溝道部分的摻雜濃度,使其載流子容易耗盡,可以大大降低器件關(guān)態(tài)漏電流[531。

   受IBM研究人員的啟發(fā),肖德元對其早期提出的圓柱體全包圍柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn),其圓柱體溝道摻雜濃度采用梯度濃度分布,由圓柱體表面至中心濃度逐漸降低,如圖1,16所示。制造工藝并不復(fù)雜,在圓柱體溝道表面沉積一層磷摻雜或者硼摻雜的二氧化硅犧牲層,經(jīng)高溫?zé)o限表面源擴(kuò)散,在圓柱體溝道內(nèi)就可以形成梯度摻雜濃度分布,之后再去除二氧化硅犧牲層。器件模擬結(jié)果表示,器件的性能可以進(jìn)一步得到改善「341。

      



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