2010年,愛(ài)爾蘭T”山ll國(guó)家研究所的J,P。Colinge等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管, PAM2310器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示「36]。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的熱潮,每年的國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)及IEEE雜志均有該器件的研究報(bào)道E37~剛。Intel公司也對(duì)無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管表現(xiàn)出強(qiáng)烈的興趣[51]。

   圖1.15 J P,Cohngc等人研制的t柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)示意圖⒛11年,新加坡IME的P。Singh等人研制成功圓柱體全包圍柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其器件制造工藝與前面介紹的GAAC器件I藝非常接近。相較于傳統(tǒng)I作于反型模式的圓柱體全包圍柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管,該器件表現(xiàn)出更加優(yōu)異的電學(xué)性能、極低的低頻噪聲及高可靠性[52]。