浸入式光刻是指在投影鏡頭與硅片之間用液體充滿,由于液體的折射指數(shù)比空氣高,因PT4121此可以增加投影棱鏡數(shù)值孔徑(NA)。以超純水為例,其折射指數(shù)為1。狃,相當于將193nm波長縮短到134nm,從而提高了分辨率�；�193nm浸人式光刻技術(shù)在⒛O4年取得了長足進展,并成功地使用在45nm技術(shù)節(jié)點中。193nm浸人式光刻技術(shù)原理清晰,構(gòu)成方法可行并且投入小,配合舊有的光刻技術(shù)變動不大,節(jié)省設(shè)各制造商以及制程采用者大量研發(fā)及導入成本,因此157nm光源干式光刻技術(shù)被193nm浸人式光刻所替代。

   為了能在下一個技術(shù)節(jié)點上獲得領(lǐng)先,下一代的光刻技術(shù)正在研發(fā)當中,如遠紫外光光刻(EUV)、電子束投影光刻、離子束投影光刻、X射線光刻和納米印制光刻等。但是在32nm技術(shù)節(jié)點上,兩次圖形技術(shù)(double patterning)從工藝整合的角度出發(fā),能夠采用多種工藝整合途徑,沿用193nm浸入式光刻技術(shù),滿足32nm技術(shù)節(jié)點上的工藝需求L11。除此之外,兩次曝光技術(shù)(double cxposure)也在研究當中。結(jié)合兩次圖形曝光或者兩次曝光技術(shù),193nm沉浸式光刻技術(shù)有可能向下擴展到”nm節(jié)點。