接下來(lái)是主隔離的形成,如圖3.9所示。沉積四乙基原硅酸鹽一氧化物(Teos o蛀de,使用Teos前驅(qū)的CVD氧化物)和氮化硅的復(fù)合層,并對(duì)四乙基原硅酸鹽-氧化物和氮化硅進(jìn)行離子回刻蝕以形成復(fù)合主隔離[:1。R1EX24256BTAS0G隔離的形狀和材料可以減小晶體管中熱載流子的退化。

   n+,p的源和漏(S/D)的形成如圖3.10所示。RTA和尖峰退火被用來(lái)去除缺陷并激活在吖D注入的雜質(zhì)。注人的能量和劑量決定了S/D的節(jié)深并會(huì)影響晶體管的性能L ml,較淺的源漏節(jié)深(相對(duì)于M()SFET的柵耗盡層寬度)將會(huì)顯著地減小短溝道效應(yīng)(SCE)。