補(bǔ)償隔離的形成如圖3,7所示。沉積一薄層氮化硅或氮氧硅(典型的厚度為50至150A), R1EX24256BTAS0A然后進(jìn)行回刻蝕,在柵的側(cè)壁上形成一薄層隔離。補(bǔ)償隔離用來隔開由于LDD離子注人(為了減弱段溝道效應(yīng))引起的橫向擴(kuò)散;對于90nm CMOS節(jié)點(diǎn),這是-個(gè)可以選擇的步驟,但對于65nm和45nm節(jié)點(diǎn),這一步是必要的。在補(bǔ)償隔離刻蝕后,剩下的氧化層厚度為~90A,在硅表面保留一層氧化層對于后續(xù)每步工藝中的保護(hù)而言是十分重要的。

   (補(bǔ)償隔離可以補(bǔ)償為了減少段溝道效應(yīng)而采取的I'DD離子注人所引起的橫向擴(kuò)散)

   nLDD和pLDD的形成

   有選擇的對n溝道MC〕S和p溝道MOS的輕摻雜漏極(LDD)離子注人如圖3.8所示。完成離子注人后,采用尖峰退火技術(shù)去除缺陷并激活LDD注人的雜質(zhì)。nI'DD和pLDD離子注入的順序和尖峰退火或RTA的溫度對結(jié)果的優(yōu)化有重要影響,這可以歸因于橫向的暫態(tài)擴(kuò)散。