磁性隧道結(MJT)[45],通常是2層鐵磁層夾著一層薄絕緣壁壘層,顯示出雙穩(wěn)定態(tài)的隧穿磁電阻(TMR),作為MRAM中的存儲單元。TMR是由于“自由”TA31272FN的鐵磁層相對于“固定”層自旋平行或反平行而產(chǎn)生的。CoFeB/MgO/CoFeB結構的MTJ可以產(chǎn)生高達約500%的TMR比率(也就是說約5倍于傳統(tǒng)基于A⒈O(jiān)的MJT)[返5]。典型的MRAM單元[乏6’47]有1⒎1MJT(即一個MJT垂直在一個MOS晶體管上),并且以被2種陣列機制操縱開關,即場開關(由相鄰的X/Y寫人線產(chǎn)生的磁場控制)和旋轉扭矩開關(由通過MJT直接電流控制)。Freescale做了一款4Mb MRAM投人量產(chǎn)(基于0,18um CMOS),基于旋轉場開關(“切換”機制),如圖3.27所示。旋轉扭矩MRAM『4:d9](見圖3.28)使用了自旋極化電流通過MJT來對自由層的自旋極性進行開關操作,最近已展現(xiàn)出低寫人電流(<106A/cm2,在10ns脈沖下),好的保留性()10年),小單元尺寸(6卩)快速讀取(30ns)和好的耐久性(1014)。這個成果正積極展開工業(yè)化并且在取代DRAM、SRAM和Flash上展現(xiàn)了很好的前景。MJT的處理流程如圖3,29所示。