自1984年日本東芝公司提出快速閃存存儲器的概念以來,平面閃存技術(shù)經(jīng)歷了長達(dá)30年的快速發(fā)展時期。一方面,為了降低成本,存儲單元的尺寸持續(xù)縮小。TA48033F但隨著閃存技 術(shù)進(jìn)入1Jnm技術(shù)節(jié)點(diǎn),閃存單元的耐久性和數(shù)據(jù)保持特性急劇退化,存儲單元之間的耦合不斷增大,△藝穩(wěn)定性和良率控制問題一直無法得到有效解決,從而從技術(shù)上限制了閃存單元的進(jìn)一步按比例縮小。另一方面,代替?zhèn)鹘y(tǒng)的浮柵閃存存儲器,通過按比例縮小的方式實(shí)現(xiàn)高密度集成,尋找更高密度陣列架構(gòu)的努力從未停止,三維存儲器的概念應(yīng)運(yùn)而生。

   ⒛01年,Tohoku大學(xué)的T.Endoh等人在IEDM上首先報道了基于多晶硅浮柵存儲層的堆疊環(huán)形柵的閃存概念[54],⒛06年,韓國二星電子公司的S,M。Jung在IEDM上報道了基于電荷俘獲存儲概念的雙層閃存陣列的堆疊結(jié)構(gòu)[55]。但直到2007年日本東芝公司的H,Tanaka在VI's1會議上報道了BiCs(Bit Cost⒌alable)NAND閃存結(jié)構(gòu)[361,三維存儲器的研發(fā)真正成為各大存儲器公司和科研院所的重要研發(fā)方向。之后韓國二星電子公司先后提出了TCAT(Terabit Cdl Array Transistor)L57J、VsAT(Vertica卜Stacke山ArrarTransistor)「3:]和VG NAND(Vertical Gate NAND)結(jié)構(gòu)[59],日本東芝公司提出了P BiCS

(Pipe BiCS)結(jié)構(gòu)「Ⅱl,韓國海力士半導(dǎo)體公司提出了STArT結(jié)構(gòu)ˉ。l],臺灣旺宏公司也提出了白己的VG NAND結(jié)構(gòu)「621,這些結(jié)構(gòu)均采用了電荷俘獲存儲(charge trapping)的概念;美國美光公司和韓國海力士公司也提出了基于多晶硅浮柵存儲層的二維存儲器結(jié)構(gòu)。各研

究機(jī)構(gòu)與公司開發(fā)的不同架構(gòu)△維存儲器如圖3,3O所示。