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HDP-CVD中的再沉積問題

發(fā)布時(shí)間:2017/10/18 21:13:26 訪問次數(shù):1155

   另外,在HDP CVD中的物理轟擊遵循碰撞中的動(dòng)量守恒原理,因此被濺射出的物質(zhì)存在一定角度。NDB6060L隨著溝槽開口尺寸變小,當(dāng)轟擊離子質(zhì)量較大時(shí),被轟擊掉的部分會(huì)有足夠的能量重新沉積到溝槽側(cè)壁另一側(cè)某一角度處,使得這些地方薄膜堆積,過多的堆積將會(huì)造成溝槽頂部在沒有完全填充前過快封口(見圖4,17)。隨著器件尺寸減小,填充能力的挑戰(zhàn)越來越大。為了減少物理轟擊造成的再沉積,HDP中的轟擊氣體主要經(jīng)歷了Ar→O2→He→H2的變化,通過降低轟擊原子的質(zhì)量來改善再沉積引起的填充問題。但是僅僅通過轟擊物質(zhì)的改變,溝槽填充能力的改善是有限的。

      

   另外,在HDP CVD中的物理轟擊遵循碰撞中的動(dòng)量守恒原理,因此被濺射出的物質(zhì)存在一定角度。NDB6060L隨著溝槽開口尺寸變小,當(dāng)轟擊離子質(zhì)量較大時(shí),被轟擊掉的部分會(huì)有足夠的能量重新沉積到溝槽側(cè)壁另一側(cè)某一角度處,使得這些地方薄膜堆積,過多的堆積將會(huì)造成溝槽頂部在沒有完全填充前過快封口(見圖4,17)。隨著器件尺寸減小,填充能力的挑戰(zhàn)越來越大。為了減少物理轟擊造成的再沉積,HDP中的轟擊氣體主要經(jīng)歷了Ar→O2→He→H2的變化,通過降低轟擊原子的質(zhì)量來改善再沉積引起的填充問題。但是僅僅通過轟擊物質(zhì)的改變,溝槽填充能力的改善是有限的。

      

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