電壓斜坡(V-ramp)和電流斜坡(J-ramp)測量技術(shù)

   在制造業(yè)環(huán)境中,TDDB測試太費(fèi)時(shí)而不適合作為制程監(jiān)控方法。電壓斜坡測試(Ⅵrtamp),UDA1334ATS/N2是一種常用的測試方法,見圖15,10。由0開始一直加大電壓直到柵氧化層崩潰,對偵測缺陷的分布是一種很有效的方法,但不適合用做本質(zhì)的分布(irlthn蚯c pc,puh"o11)測試。測試中使用的另一個(gè)氧化層監(jiān)測方法是電流斜坡測試(Jframp)或Jxr測試,兀圖15.11。在這個(gè)測試中,持續(xù)加大電流直到崩潰,J※r即為總擊穿電荷密度。此測試對氧化層的品 質(zhì)是很好的快速測試方法。