電壓斜坡(V-ramp)和電流斜坡(J-ramp)測(cè)量技術(shù)

   在制造業(yè)環(huán)境中,TDDB測(cè)試太費(fèi)時(shí)而不適合作為制程監(jiān)控方法。電壓斜坡測(cè)試(Ⅵrtamp),UDA1334ATS/N2是一種常用的測(cè)試方法,見(jiàn)圖15,10。由0開(kāi)始一直加大電壓直到柵氧化層崩潰,對(duì)偵測(cè)缺陷的分布是一種很有效的方法,但不適合用做本質(zhì)的分布(irlthn蚯c pc,puh"o11)測(cè)試。測(cè)試中使用的另一個(gè)氧化層監(jiān)測(cè)方法是電流斜坡測(cè)試(Jframp)或Jxr測(cè)試,兀圖15.11。在這個(gè)測(cè)試中,持續(xù)加大電流直到崩潰,J※r即為總擊穿電荷密度。此測(cè)試對(duì)氧化層的品 質(zhì)是很好的快速測(cè)試方法。