GTO晶閘管的特性
發(fā)布時間:2018/1/2 20:50:12 訪問次數(shù):5272
1.陽極伏安特性
GTO晶閘管的陽極伏安特性與普通晶閘管相似,如圖2,8所示。
外加電壓超過正向轉(zhuǎn)折電壓吮0時,GTo晶閘管正向?qū)?正向?qū)ù螖?shù)多了,就會引起GTo晶閘管的性能變差;但若外加電壓超過反向擊穿電壓已‰,貝刂發(fā)生雪崩擊穿,造成元件的永久性損壞。
對GTo晶閘管門極加正向觸發(fā)電流時,GTo晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓隨門極正向觸發(fā)電流的增大而降低。M12L16161A-5T
2.GTO晶閘管的動態(tài)特性
圖2.9給出了GTo晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷過程中門極電流元和陽極電流認的波形。與普通晶閘管類似,導(dǎo)通過程中,需要經(jīng)過延遲時間兔(fA<1⒆“A)和上升時間CA=(10%~90%)風(fēng))。關(guān)斷過程則有所不同,首先,需要經(jīng)歷抽取飽和導(dǎo)通時存儲的大量載流子的時間――存儲時間rs,從而使等效晶體管退出飽和狀態(tài);然后則是等效晶體管從飽和區(qū)退至放大區(qū),陽極電流逐漸減小的時間――下降時間犴;最后還有殘存載流子復(fù)合所需要的時間――尾部時間h。
1.陽極伏安特性
GTO晶閘管的陽極伏安特性與普通晶閘管相似,如圖2,8所示。
外加電壓超過正向轉(zhuǎn)折電壓吮0時,GTo晶閘管正向?qū)?正向?qū)ù螖?shù)多了,就會引起GTo晶閘管的性能變差;但若外加電壓超過反向擊穿電壓已‰,貝刂發(fā)生雪崩擊穿,造成元件的永久性損壞。
對GTo晶閘管門極加正向觸發(fā)電流時,GTo晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓隨門極正向觸發(fā)電流的增大而降低。M12L16161A-5T
2.GTO晶閘管的動態(tài)特性
圖2.9給出了GTo晶閘管導(dǎo)通和關(guān)斷過程中門極電流元和陽極電流認的波形。與普通晶閘管類似,導(dǎo)通過程中,需要經(jīng)過延遲時間兔(fA<1⒆“A)和上升時間CA=(10%~90%)風(fēng))。關(guān)斷過程則有所不同,首先,需要經(jīng)歷抽取飽和導(dǎo)通時存儲的大量載流子的時間――存儲時間rs,從而使等效晶體管退出飽和狀態(tài);然后則是等效晶體管從飽和區(qū)退至放大區(qū),陽極電流逐漸減小的時間――下降時間犴;最后還有殘存載流子復(fù)合所需要的時間――尾部時間h。
熱門點擊
- GTO晶閘管的特性
- RTD和恒流源電路最終輸出一個電壓
- 開關(guān)特性
- 按結(jié)構(gòu)形式分類
- DTssOB數(shù)字式萬用表的調(diào)試
- 儀器背面有一個電源電壓
- 技術(shù)指標(biāo)
- 第二中放電流太大(大于zmA)
- 檢查要領(lǐng)
推薦技術(shù)資料
- 100A全集成電源模塊R
- Teseo-VIC6A GNSS車用精準(zhǔn)定位
- 高效先進封裝工藝
- 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (Analog-to-Digit
- 集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)
- 128 通道20 位電流數(shù)字轉(zhuǎn)換器̴
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究