GTO晶閘管的主要參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2018/1/2 20:52:22 訪問(wèn)次數(shù):5931
GTO晶閘管的大多數(shù)參數(shù)與普通晶閘管相同,這里僅討論一些意義不同的參數(shù)。M29W800DB-70ZE6
最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流從TO
GTo晶閘管的最大陽(yáng)極電流受兩個(gè)方面的限制:一是額定工作結(jié)溫的限制;二是門(mén)極負(fù)電流脈沖可以關(guān)斷的最大陽(yáng)極電流的限制,這是由GTo晶閘管只能工作在臨界飽和導(dǎo)通狀態(tài)所決定的。陽(yáng)極電流過(guò)大,GTo晶閘管便處于較深的飽和導(dǎo)通狀態(tài),門(mén)極負(fù)電流脈沖不可能將其關(guān)斷。通常,將最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流厶T。作為GTO晶閘管的額定電流。應(yīng)用中,最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流rAT。還與工作頻率、門(mén)極負(fù)電流的波形、工作溫度及電路參數(shù)等因素有關(guān),它不是一個(gè)固定不變的數(shù)值。
GTO晶閘管的大多數(shù)參數(shù)與普通晶閘管相同,這里僅討論一些意義不同的參數(shù)。M29W800DB-70ZE6
最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流從TO
GTo晶閘管的最大陽(yáng)極電流受兩個(gè)方面的限制:一是額定工作結(jié)溫的限制;二是門(mén)極負(fù)電流脈沖可以關(guān)斷的最大陽(yáng)極電流的限制,這是由GTo晶閘管只能工作在臨界飽和導(dǎo)通狀態(tài)所決定的。陽(yáng)極電流過(guò)大,GTo晶閘管便處于較深的飽和導(dǎo)通狀態(tài),門(mén)極負(fù)電流脈沖不可能將其關(guān)斷。通常,將最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流厶T。作為GTO晶閘管的額定電流。應(yīng)用中,最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流rAT。還與工作頻率、門(mén)極負(fù)電流的波形、工作溫度及電路參數(shù)等因素有關(guān),它不是一個(gè)固定不變的數(shù)值。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 單相橋式全控整流電路帶阻感負(fù)載電路
- GTO晶閘管的主要參數(shù)
- 三相橋式全控整流電路的原理圖
- 測(cè)量電阻時(shí),首先要選擇適當(dāng)?shù)谋堵蕮?/a>
- 整機(jī)測(cè)試與調(diào)整
- 給出電路中各元件參數(shù)選取的計(jì)算過(guò)程
- 液晶屏組件安裝
- 多余輸入端絕對(duì)不能懸空
- GTR的主要參數(shù)
- 1GBT的基本特性
推薦技術(shù)資料
- Seeed Studio
- Seeed Studio紿我們的印象總是和繪畫(huà)脫離不了... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究