靜態(tài)特性

   IGBT的靜態(tài)特性主要包括轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。

   (1)轉(zhuǎn)移特性。MIC2557BM

   轉(zhuǎn)移特性用來描述IGBT集電極電流圮與“柵一射”電壓已℃E之間的關(guān)系,如圖2,18(al所示。它與電力MOsFET的轉(zhuǎn)移特性類似。開啟電壓戧珥thl是IGBT能實現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制而導(dǎo)通的最低“柵一射”電壓。

  （2）輸出特性。

   輸出特性也稱伏安特性,描述以“柵一射”電壓為參變量時,集電極電流七與“集一射”極間電壓%E之間的關(guān)系。

   IGBT的輸出特性與GTR的輸出特性類似,不同的是控制變量,IGBT的控制變量為“柵一射”電壓%E,而GTR的控制變量為基極電流r:。IGBT的輸出特性分為三個區(qū)域:正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū),如圖2.18o)所示,與GTR的截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)相對應(yīng)。當(dāng)IrcE(o時,IGBT為反向阻斷狀態(tài)。在電力電子電路中,IGBT在開關(guān)狀態(tài)工作,在正向阻斷區(qū)和飽和區(qū)之間轉(zhuǎn)換。