絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBTl是⒛世紀(jì)80年代中期發(fā)展起來的一種新型器件。MIC2526-2BM它綜合了電力晶體管(GTR)和場效應(yīng)管(MOsFET)的優(yōu)點,既有GTR耐高電壓、電流大的特點,又兼有單極型電壓驅(qū)動器件MOsFET輸入阻抗高、驅(qū)動功率小等優(yōu)點。目前在⒛ldIz及以下的中等容量變流裝置中得到廣泛應(yīng)用,已取代了GTR和電力場效應(yīng)管的一部分市場,成為中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。近年來,開發(fā)的第三代、第四代IGBT可使裝置的工作頻率提高到50~100kHz,電壓和電流容量進一步提高,大有全面取代全控型器件的趨勢。