欲使IGBT關斷時,給柵極施加反向脈沖電壓-%M,在此反向電壓作用下,內部等效MOSFET輸入電容放電,內部等效GTR仍然導通,氣~r6時間內,集電極電流、MIC2560-1BWM電壓無明顯變化,這段時間定義為存儲時間rs。七時刻后,MOSFET開始退出飽和,器件電壓隨之上升,PNP晶體管集電極電流無明顯變化。莎7時刻%E上升到接近t/c・M,%~莎7這段時間稱電壓上升時間民r。之后,MOsFET退出飽和,GTR基極電流下降,集電極電流減小,從柵極電壓刊無E的脈沖后沿下降到其幅值的⒛%的時刻起,到集電極電流下降至90%幾M止(約為兔~幻),這段時間為關斷延遲時間兔。此后,%E繼續(xù)衰減,到兔時刻,%E下降到EfT,MOsFET關斷,PNP晶體管基極電流為零,集電極電流下降到接近于零。集電極電流從90%Jc・M下降至鎬cM的這段時間為電流下降時間枷由于晶體管內部存儲電荷的消除還需要一定時間,因此氣以后,還有一個尾部時間h,這段時間內,由于“集一射”極電壓己經建立,會產生較大的損耗。定義r5~氣這段時間為關斷時間兔″,即莎。內部由于雙極型PNP晶體管的存在,帶來了通流能力增大器件耐壓提高、器件通態(tài)壓降降低等好處,但由于少了儲存現(xiàn)象的出現(xiàn),使得IGBT的開關速度比電力MOsFET的速度要低。