IGBT的動(dòng)態(tài)特性包括導(dǎo)通過程和關(guān)斷過程,如圖2.19所示。

   圖219 1GBT的導(dǎo)通與關(guān)斷過程 MIC2558BM

   導(dǎo)通過程。

   IGBT的導(dǎo)通過程與電力MOSFET的開通過程相類似,這是因?yàn)镮GBT在導(dǎo)通過程中大部分時(shí)間是作為電力MOsFET運(yùn)行的。導(dǎo)通時(shí)間由四部分組成:一段是從外施柵極脈沖¤‰由負(fù)到正跳變開始,到“柵一射”電壓充電到I/T的時(shí)間(對(duì)應(yīng)rl~氣)的導(dǎo)通延遲時(shí)間兔。另一段是集電極電流從零開始,上升到90%穩(wěn)態(tài)值的時(shí)間。