MOs控制晶閘管(MOs C0ntrollcd Thyristor,MCD是一種單極型和雙極型結(jié)合而形成的復(fù)合器件,輸入側(cè)為MOsFET結(jié)構(gòu),因而輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小, DA28F016SV-70工作頻率高;而輸出側(cè)為晶閘管結(jié)構(gòu),能夠承受高電壓,通過大電流,這是一種很有發(fā)展前途的器件。

    MCT的結(jié)構(gòu)與工作原理

   MCT是在晶閘管結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上叉制作了兩只MOsFET,其中,用于控制MCT導(dǎo)通的那只MOSFET稱為開通場效應(yīng)晶體管(ON-FET),用于控制阻斷的那只MOsFET稱為關(guān)斷場效應(yīng)晶體管(oFF-FET)°根據(jù)開通場效應(yīng)晶體管的溝道類型不同,可分為P-MCT和N-MCT兩種。MCT采用多胞元集成工藝制成,一個(gè)MCT約含有10萬個(gè)單細(xì)胞。圖2.21所示為⒈MCT一個(gè)單細(xì)胞的等效電路及圖形符號。