曝光源的選擇要和根據(jù)光刻膠的光譜響應(yīng)范圍和所需達到的特征圖形尺寸相匹配。 P82B96T早期的光刻機使用高壓汞燈作為曝光光源，它隨著電流通過汞燈管發(fā)出光線。高壓保證了對水銀進行高振蕩時不會引起水銀蒸發(fā)。

   從汞燈發(fā)出的光按波長被分為幾段。一些光刻膠是為汞燈全光譜反應(yīng)設(shè)計的，而另一些則是針對其某一特定波長設(shè)計的。還有一些光刻膠是針對汞燈特殊的能量峰值設(shè)計的。，汞燈有3個能量峰值，它們對應(yīng)的波長分別是：365 nm、405 nm和436 nm。

   這3個波長也被相應(yīng)稱為：I線、H線和G線。光刻機通常使用濾波器只允許G線或I線通過。I線光成為亞微米時代的首選曝光源。I線的波長是365 nm（0.365ILm），它和0.35 ym的產(chǎn)品尺寸接近。在實際生產(chǎn)中，要想制作出比曝光波長還小的圖形是很難的。

    受激準分子激光器

   還有另外一種深紫外( DUV)光源，它就是受激準分子激光器。以下氣體激光器和它們的發(fā)光波長分別為：XeF(351 nm)、XeCl(308 nm)、KrF( 248  nm)、ArF( 193 flITI)4}。已開發(fā)K，F(xiàn)和A，F(xiàn)用于130 nm芾點以上的工藝，考慮用ArF作為小于130 nm圖形的光源【5i。F：也是一個在ArF'之后待考慮的候選材料ii6。