1966年,一種金屬一半導體場效應管(Metal Semi∞l△ductor FET,MESFET)被提出并在一年后實現(xiàn),它在結構上與結型場效應管(JFET)類似,HZICMX25L6445E0G不過它與后者的區(qū)別是這種場效應管并沒有使用PN結作為其柵極,而是采用金屬-半導體接觸所構成的肖特基勢壘結的方式形成柵極,其溝道通常由化合物半導體構成,它的速度比由硅制造的結型

場效應管JFET或M()SFET快很多,但是制造成本相對更高。但是金屬一半導體接觸可以在較低溫度下形成,可以采用GaAs襯底材料制造出性能優(yōu)良的晶體管。

   高電子遷移率晶體管

   MESFET熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容限需求的增加,砷化鎵MESFET已經(jīng)達到了其設計上的極限,因為滿足這些需求需要更大的飽和電流和更大跨導的短溝道場效應器件。一般可以通過增加溝道摻雜濃度來實現(xiàn)。由于溝道區(qū)是對體半導體材料的摻雜而形成的,多數(shù)載流子與電離的雜質(zhì)共同存在。多數(shù)載流子受電離雜質(zhì)散射,從而使載流子遷移率減小,器件性能降低。早在1960年,IBM公司的Andcrson就預言在異質(zhì)結界面將存在電子的累積『23]。