1966年,一種金屬一半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal Semi∞l△ductor FET,MESFET)被提出并在一年后實現(xiàn),它在結(jié)構(gòu)上與結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)類似,HZICMX25L6445E0G不過它與后者的區(qū)別是這種場效應(yīng)管并沒有使用PN結(jié)作為其柵極,而是采用金屬-半導(dǎo)體接觸所構(gòu)成的肖特基勢壘結(jié)的方式形成柵極,其溝道通常由化合物半導(dǎo)體構(gòu)成,它的速度比由硅制造的結(jié)型

場效應(yīng)管JFET或M()SFET快很多,但是制造成本相對更高。但是金屬一半導(dǎo)體接觸可以在較低溫度下形成,可以采用GaAs襯底材料制造出性能優(yōu)良的晶體管。

   高電子遷移率晶體管

   MESFET熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容限需求的增加,砷化鎵MESFET已經(jīng)達到了其設(shè)計上的極限,因為滿足這些需求需要更大的飽和電流和更大跨導(dǎo)的短溝道場效應(yīng)器件。一般可以通過增加溝道摻雜濃度來實現(xiàn)。由于溝道區(qū)是對體半導(dǎo)體材料的摻雜而形成的,多數(shù)載流子與電離的雜質(zhì)共同存在。多數(shù)載流子受電離雜質(zhì)散射,從而使載流子遷移率減小,器件性能降低。早在1960年,IBM公司的Andcrson就預(yù)言在異質(zhì)結(jié)界面將存在電子的累積『23]。