MOCVD外延生長中的基本機(jī)制和原理,已經(jīng)有很多研究和討論。本書主要參考了包RA07N1317M括陸大成先生等人的著作的相關(guān)成果,在此簡單介紹一些在LED外延生產(chǎn)中經(jīng)常需要重點(diǎn)理解和掌握的基本知識(shí)點(diǎn),拋磚引玉,幫助大家有個(gè)初步認(rèn)識(shí)。較為全面的總結(jié)性介紹可 參閱陸大成先生等人的專著《金屬有機(jī)化合物氣相外延基礎(chǔ)及應(yīng)用》[1叫。分析MOCVD的外延生長機(jī)制和原理,首先需要準(zhǔn)確認(rèn)識(shí)MOCVD反應(yīng)室的流場和外延生長的動(dòng)力學(xué)特點(diǎn)。在MOCⅤD外延生長中,反應(yīng)源氣體源源不斷地從供應(yīng)系統(tǒng)進(jìn)入反應(yīng)室,經(jīng)化學(xué)反應(yīng)和外延生長后又源源不斷地從反應(yīng)室排到尾氣系統(tǒng),這一連續(xù)進(jìn)氣和排氣的特點(diǎn)使得相關(guān)過程被歸納為開管流動(dòng)系統(tǒng)。在這樣的開管流動(dòng)系統(tǒng)中,從反應(yīng)區(qū)域上方到襯底以及托盤附近實(shí)際存在很大的溫度梯度。反應(yīng)氣體流經(jīng)反應(yīng)室在襯底上滯留的時(shí)間較短,使得MOCVD可被認(rèn)知為非平衡過程。對(duì)非平衡過程的分析研究必須考慮動(dòng)力學(xué)因素。MOCVD生長動(dòng)力學(xué)包括化學(xué)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)和質(zhì)量輸運(yùn)兩部分的結(jié)合,結(jié)合熱力學(xué)分析,我們可以了解晶體生長過程的基礎(chǔ),并且對(duì)MOCVD外延生長過程與特點(diǎn)進(jìn)行分析和判斷,估算外延層的生長速率、組分、摻雜等。