(1)將所有與輻射相關(guān)的部分(包括天線和驅(qū)動(dòng)源)進(jìn)行屏蔽,即改進(jìn)原來(lái)屏蔽的缺陷, HCNR201-000E將模塊與背板之間的防水墊圈改成導(dǎo)電的密封圈,實(shí)現(xiàn)整機(jī)屏蔽的完整性。

    (2)降低驅(qū)動(dòng)電壓,即在PCB上進(jìn)行處理,減小晶振與那些與接口連接器相連的信號(hào)線。這需要調(diào)整m MHz晶振的位置及周邊布線,將晶振盡量往板內(nèi)移,將晶振底下的布線避開(kāi),并保持離晶振有~sO0耐l以上的距離,晶振底下的PCB表層做敷銅處理,并且保證晶振底下的地平面完整。注意:晶振底下保證地平面完整的原囚是,多層板技術(shù)在本產(chǎn)品中的應(yīng)用使有著完整地平面的信號(hào)的回流信號(hào)與信號(hào)本身方向相反、大小相等,能很好地相互抵消,可保證其良好的信號(hào)完整性和EMC特性。但是,當(dāng)?shù)仄矫娌煌暾麜r(shí),回流路徑中的電流與信號(hào)本身的電流不能相互抵消(實(shí)際上這種電流不平衡是不可避免的),必然產(chǎn)生一小部分大小相等、方 向相同的共模電流,尤其是晶振這樣的高噪聲器件。共模電壓沿著附近的參考平面,耦的

小電壓信號(hào)激勵(lì)連接的外圍結(jié)構(gòu),使之成為一個(gè)輻射天線。圖2.33所示的是布在多層板外層(參考平面)上的印制線共模輻射等效模型。從高頻角度考慮,參考平面相當(dāng)于回流導(dǎo)體,可能有高頻交流電壓。差模電流JDM在印制線下面的參考平面上會(huì)產(chǎn)生一個(gè)共模電壓降σcM,女口圖2.33所示。這個(gè)電壓激勵(lì)大的外圍結(jié)構(gòu),產(chǎn)生共模電流JcM。

    (3)取消輻射的天線。這一措施顯然很難實(shí)現(xiàn),引線信號(hào)與接口連接器之間的連接不可避免。

   經(jīng)過(guò)以上(1)、(2)的處理后,用近場(chǎng)探頭在連接器附近再進(jìn)行測(cè)試,發(fā)現(xiàn)350MHz頻點(diǎn)的輻射明顯減小,幅度在10dB以上。

    圖2.33 地平面不完整造成的共模輻射等效模型

   【思考與啟示】

   (1)防水與屏蔽要統(tǒng)一,不要為了防水而忽視了屏蔽的完整性。

   (2)晶振底下不能布信號(hào)線,特別是與對(duì)外接口直接相連的信號(hào)。

   (3)在晶振和時(shí)鐘電路下面的局部地平面可以為晶振及相關(guān)電內(nèi)部產(chǎn)生的共模RF電流提供通路,從而使RF發(fā)射最小。