可見,在148.34MHz的頻率處,輻射下降了近4.5dB,但是離限值線的余量較小。 NG80386SX-16進(jìn)一步檢查數(shù)碼相機(jī)中印制電路板的電路原理,發(fā)現(xiàn)控制芯片的電源采用磁珠與電容進(jìn)行去耦,其中去耦電容C2:的電容值為0.1uF,如圖3.53所示。

   實(shí)際上0.1uF的貼片電容并不能很好地為100MHz以上的頻率去耦,原因主要在于兩個(gè)方面:一是電容本身存在寄生電感;二是去耦電流回路上存在的電感。對(duì)于一個(gè)理想的電源來(lái)說(shuō),其阻抗為零,在平面任何一點(diǎn)的電位都是保持恒定的(等于系統(tǒng)供給電壓),然而實(shí)際的情況并非如此,而是存在很大的噪聲,甚至有可能影響系統(tǒng)的正常工作,去耦電容就是為了降低電源阻抗,保證器件附近的電源穩(wěn)定在波動(dòng)較小的范圍內(nèi)。關(guān)于去耦電容及為什么要進(jìn)行去耦,已經(jīng)在案例58中及5.1節(jié)中有所描述,0.1uF的陶瓷貼片電容的諧振點(diǎn)一般在十幾兆赫茲,也就是說(shuō),0.1uF的陶瓷貼片電容,只能在十幾兆赫茲頻率附近使電源的阻抗保持在較低的水平,這個(gè)頻率離本案例中數(shù)碼相機(jī)的輻射超標(biāo)頻率點(diǎn)有一定的距離。圖3.弘給出了接口芯片電源采用0.1uF去耦電容時(shí),在頻率148.~s+MHz點(diǎn)上輻射較高的原因。圖3.~sH中箭頭表示高頻噪聲(⒕8.34MHz未被0.1uF電容很好地去耦的噪聲)向電源傳輸,又由于在該頻率點(diǎn)上,電源阻抗較高,電源與地之間產(chǎn)生較高的壓降。這樣,相當(dāng)于在電源與地之間形成了一個(gè)148.34MHz的電壓源,又由于數(shù)碼相機(jī)是一個(gè)浮地系統(tǒng),與地相連的電纜屏蔽層成了輻射的天線。