為了使被測(cè)產(chǎn)品浪涌測(cè)試能夠通過(guò),并且信號(hào)地與保護(hù)地之間的保護(hù)器件(TSS)不損壞, GC2011-PQ主要的解決方法有兩種:第一種是降低并聯(lián)電容值;第二種是限制電容放電時(shí),流過(guò)TSS的電流大小。因設(shè)各設(shè)計(jì)已經(jīng)定型,此時(shí)減少電容數(shù)量對(duì)整機(jī)的EMC性能影響很大, 可行的辦法就只能是第二種,即通過(guò)增加限流器件來(lái)限制電容放電時(shí),流過(guò)TSS電流的大小。具體的處理措施是在保護(hù)器件(TSS)前串聯(lián)阻值為5Ω的PTC來(lái)做限流處理(原理圖如圖4122所示),經(jīng)過(guò)反復(fù)的浪涌測(cè)試與驗(yàn)證,設(shè)備可以通過(guò)電壓為6kⅤ,電壓波形為10/7OO us的浪涌測(cè)試,產(chǎn)品浪涌測(cè)試不通過(guò)的問(wèn)題得以解決。

  為了進(jìn)一步明確以上處理措施,又進(jìn)行以下兩組試驗(yàn)以驗(yàn)證降低并聯(lián)電容值與增加限流器件限制電容放電時(shí)流過(guò)TSS電流大小都能夠?qū)νㄟ^(guò)浪涌測(cè)試起到良好的作用。試驗(yàn)一:只降低保護(hù)器件(TSS)并聯(lián)電容值,測(cè)試TSS在不同的浪涌測(cè)試等級(jí)下是否會(huì)損壞。