首先,根據(jù)測試出現(xiàn)的現(xiàn)象,推測可能導(dǎo)致保護(hù)器件損壞的原因如下。 GC2011A-PB

   (1)浪涌發(fā)生器輸出異常,測試電壓或電流值超過設(shè)置值。

   (2)TSS單體器件的浪涌通流能力達(dá)不到規(guī)格參數(shù)的標(biāo)稱等級(jí)。但是,經(jīng)過現(xiàn)場確認(rèn)和實(shí)驗(yàn)測試,兩種原因均不能成立,因?yàn)?①用電流環(huán)與示波器進(jìn)行浪涌發(fā)生器原波檢測,浪涌發(fā)生器波形和能量輸出正常;②對(duì)單體器件進(jìn)行最高浪涌測試等級(jí)(電流波形為10/7O0△,s,測試電壓為6kⅤ,而是內(nèi)阻為婀Ω,正負(fù)各5次),且批量測試驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)后器件參數(shù)依舊正常,TSS元器件浪涌承受能力不存在問題。那是什么原因導(dǎo)致保護(hù)器件規(guī)格參數(shù)均符合設(shè)計(jì)要求,在測試等級(jí)遠(yuǎn)低于器件最大電壓、最大電流承受能力時(shí)也發(fā)生損壞呢,仔細(xì)分析被測產(chǎn)品的設(shè)計(jì)原理圖后發(fā)現(xiàn)串口連接的信號(hào)地(AGND)與

保護(hù)地(EGND)之間并聯(lián)了14個(gè)容值為2.211F的電容,用萬用表實(shí)際測量TSS兩端電容值為30nF。這樣在進(jìn)行信號(hào)地(AGND)與保護(hù)地(EGND)之間浪涌測試時(shí),浪涌電流會(huì)在被擊穿導(dǎo)通之前對(duì)電容進(jìn)行充電,會(huì)對(duì)TSS進(jìn)行反向放電,即圖4,119致保護(hù)器件(TSs)損壞,圖4.120波形圖。