浪涌試驗(yàn)中采用電流波形為、電壓波形為1.2u/50灬的綜合波,即大部分的能量將在內(nèi)釋放。產(chǎn)品接口部分電路實(shí)際承受的電壓與電流大小及波形與儀器的內(nèi)阻及被測(cè)接口的阻抗有關(guān)。該接口TⅤs所能承受的最大脈沖功率為500W,其鉗位電壓約10Ⅴ,可以承受數(shù)十安培的電流,而所使用的磁珠額定電流僅為100mA。在浪涌試驗(yàn)時(shí), 流過(guò)磁珠的電流將大大超過(guò)這個(gè)值,而造成損壞。

   【處理措施】

   將TⅤS移至磁珠的前面,使浪涌大電流不經(jīng)過(guò)磁珠。原理圖如圖5.輥所示。

   【思考與啟示】

   在防浪涌保護(hù)和高頻噪聲抑制電路或電容旁路共存的場(chǎng)合,一定要采用先防浪涌后高頻抑制的原則。

   圖5.42 TⅤS移至磁珠的前面的原理圖