在圖5.44中,箭頭曲線表示EⅢ//B干擾的共模電流流向,由于光耦分布結(jié)電容的存在,共模電流會(huì)經(jīng)過光耦,流經(jīng)數(shù)字電路�？梢姳还怦罡綦x的數(shù)字電路部分是受到EFT/B共模電流影響的,當(dāng)共模電流流過時(shí),JS28F320C3BD70如果數(shù)字電路的地平面存在較大的地阻抗,如地平面不完整、過孔太多等,可能會(huì)產(chǎn)生較高的壓降。該壓降超過-定的程度,電路就會(huì)受影響。分析到這里,大概清楚了電路受干擾的區(qū)域,即共模電流流經(jīng)的區(qū)域。如果共模電流不流經(jīng)數(shù)字電流部分或只有很小的部分共模電流流經(jīng)數(shù)字電路部分,那么產(chǎn)品在試驗(yàn)時(shí)出錯(cuò)的可能也會(huì)降低。按這個(gè)思路,在模擬電路的地與產(chǎn)品的接地端之間接旁路電容,值為1011F,再進(jìn)行測(cè)試,可以通過±1kⅤ的EⅢ/B壩刂試c再來看看在這種情況下與最初的情況實(shí)質(zhì)上發(fā)生了一些什么改變,如圖5.45所示:

   圖5.45 接旁路電容后的共模電流流向

   從圖5.絹中可以清楚地看到,有EFT/B干擾的共模電流路徑已經(jīng)有所改變,即多了一條共模電流的路徑,同時(shí)由于10【lF的旁路電容遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于10pF的結(jié)電容,在旁路電容接地路徑阻抗較短的情況下,必然使大部分的干擾共模電流從旁路電容流向大地,使流經(jīng)數(shù)字電路的共模電流大大減小,數(shù)字電路受到了保護(hù),以致E凹//B干擾度水平大大提高。補(bǔ)充一點(diǎn),旁路電容的接地阻抗很重要,一定要保證很小的阻抗。在此再提一次,如果是用PCB布線的話,長寬比小于5的PCB銅箔具有更小的阻抗,在100MHz的頻率下約為3mΩ。