【處理措施】K4H510638E-TCBO

   按照以上的分析及測(cè)試結(jié)果,在模擬電流地與數(shù)字地之間接旁路電容,值為111F。測(cè)試結(jié)果參。

   提醒一點(diǎn):數(shù)字電路地與模擬電路地之間接111F旁路電容后的確使流入數(shù)字電路的共模電流增加,這同時(shí)也是對(duì)數(shù)字電路的一種考驗(yàn),本案例中之所以對(duì)整體抗擾度有所提高也是因?yàn)楣怦畹拿舾须娖较鄬?duì)較低:在設(shè)計(jì)時(shí),要統(tǒng)籌考慮.EMC設(shè)計(jì)不僅是一些規(guī)則的宣貫,也要對(duì)電路特性有較深的了解:

   【思考與啟示】

    (1)相互光電隔離的數(shù)字地與模擬地之間建議采用電容連接,容值為1~10nF。

   (2)被隔離的地之間也要考慮地電位平衡。

   (3)開(kāi)關(guān)電源中變壓器初級(jí)線圈與次級(jí)線圈間,跨接電容,也是基于本案例同樣的原理: