高阻狀態(tài)下測試時,在掉電的瞬間, LM4040AEM3-3.0-T由于Cl兩端存在電壓,其中的能量會繼續(xù)提供給DC/DC電源模塊工作一段時間,同時Cl中的能量因DC/DC電源模塊的△作而迅速被消耗掉,即Cl兩端的電壓迅速降低,直到C1兩端的電壓不能使DC/DC電源模塊正常工作。如圖5.54中所示的那樣,從-31Ⅴ開始DC/DC電源就不處于正常工作狀態(tài),因此消耗也大大減少,Cl兩端的電壓下降也變得非常緩慢。這就是產(chǎn)品在高阻狀態(tài)下測試時,C1兩端的電壓沒有很快跌到零,而會保持-31Ⅴ一段時間的原因。

   另外,由于C1兩端的電壓下降使DC/DC電源模塊停止工作后,使得原來那些由DC/DC電源模塊供電的后一級集成電路,只能靠C2來維持一段時間,但是集成電路不像DC/DC電源模塊那樣有很寬的正常工作電壓范圍。據(jù)統(tǒng)計,一般集成電路的正常工作電壓是額定電壓的±5%,這個電壓范圍很難由C2來維持一段較長的時間,通常DC/DC電源模塊的輸出電壓為零,集成電路也很快消耗C2中的能量,使C2兩端的電壓小于正常電壓的g~s%,這時集成電路相當(dāng)于掉電,即出現(xiàn)系統(tǒng)復(fù)位現(xiàn)象。

   為何在低阻狀態(tài)下進(jìn)行測試時,增加儲能電容的值,“保護(hù)”現(xiàn)象無明顯的改善,而在高阻狀態(tài)下卻效果明顯?

   原來,在低阻狀態(tài)下測試時,電壓跌落與中斷模擬器的輸出內(nèi)阻呈低阻狀態(tài),相當(dāng)于供電源短路,如圖5.56所示。在電壓跌落的瞬間,儲能電容CI的電壓一方面繼續(xù)給DC/DC電源模塊供電,另一方面通過模擬器側(cè)的短路回路進(jìn)行放電,并且很快被放到零電壓。據(jù)實

際測試C1=鑼uF時,這個時間約為50灬,遠(yuǎn)小于1ms。由于Cl向模擬器側(cè)的短路回路的放電時間常數(shù)遠(yuǎn)小于向DC/DC電源模塊放電的時間常數(shù),因此即使增加C1的容量(如1OO uF、200uF等)也沒有明顯改善測試結(jié)果。

   在高阻狀態(tài)下測試時,電壓跌落與中斷模擬器內(nèi)阻呈高阻狀態(tài),相當(dāng)于電壓源與產(chǎn)品供電電源人口斷開,如圖5.貿(mào)所示,在電壓中斷的瞬間,儲能電容Cl上的能量只能消耗在DC/DC電源中,儲能電容值的增加,會對測試結(jié)果產(chǎn)生明顯的效果。