模擬電路區(qū)域的遠端存在模擬電路工作地與參考接地板或金屬外殼互連
發(fā)布時間:2019/1/14 21:35:43 訪問次數(shù):3080
有些產(chǎn)品模擬電路部分(或模擬電路工作地)與參考接地板或金屬外殼之間的阻抗注定就是很低的,L2D2348-PbL即如圖6.93所示的阻抗z、較小,這通常表現(xiàn)為以下兩種設計情況。第一種,模擬電路區(qū)域的遠端存在模擬電路I作地與參考接地板或金屬外殼互連(直接連接或通過電容連接),如圖6,93所示。
圖6.93模擬電路工作地|j參考接地板或金屬外殼互連原理示意圖
不但模擬電路區(qū)域的遠端存在模擬電路工作地與參考接地板或金屬外殼互連(直接連接或通過電容連接),而且數(shù)宇電路的低電位側(圖6.92中的z1左側)的數(shù)字電路工作地與參考接地板或金屬外殼也存在互連(直接連接或通過電容連接),如圖6.94所示。在這種情況下將產(chǎn)生更大的數(shù)/模混合干擾。
有些產(chǎn)品模擬電路部分(或模擬電路工作地)與參考接地板或金屬外殼之間的阻抗注定就是很低的,L2D2348-PbL即如圖6.93所示的阻抗z、較小,這通常表現(xiàn)為以下兩種設計情況。第一種,模擬電路區(qū)域的遠端存在模擬電路I作地與參考接地板或金屬外殼互連(直接連接或通過電容連接),如圖6,93所示。
圖6.93模擬電路工作地|j參考接地板或金屬外殼互連原理示意圖
不但模擬電路區(qū)域的遠端存在模擬電路工作地與參考接地板或金屬外殼互連(直接連接或通過電容連接),而且數(shù)宇電路的低電位側(圖6.92中的z1左側)的數(shù)字電路工作地與參考接地板或金屬外殼也存在互連(直接連接或通過電容連接),如圖6.94所示。在這種情況下將產(chǎn)生更大的數(shù)/;旌细蓴_。